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詹姆斯·a·沃克教授简介、获奖及成就

简介

他最出名的是什么?

他最著名的研究领域是:

语言学

光学

半导体

主要研究方向为光学、光电子学、光调制器、光纤与衬底。作为普通光学研究的一部分,他在波分复用、环行器和衰减器方面的工作经常与全通滤波器有关,从而连接了不同的科学领域。他在光电子领域开展的工作汇集了基板,电子工程和激光等科学家族。

他的光学调制器研究包括反射和电极等主题。除光纤外,该研究还包括矩阵阵列、光开关、束、衰减和插入损耗等学科。他的基材研究结合了光纤分离器、致动器、工程制图和电缆接头等主题。

他被引用最多的作品包括:

一种薄膜形状记忆合金及其制造方法(390次引用)

金属有机化学气相沉积生长mg掺杂GaN中受体的活化(383次引用)

使用倾斜微镜的波长加降开关(304次引用)

到目前为止,他整个职业生涯的主要主题是什么?

James A. Walker主要研究光电子学、光学、硅、语言学和光调制器。他的研究着眼于光电子学和电子工程等主题之间的关系,这些主题与电气工程重叠。他的生物学研究涵盖了广泛的主题,包括基质和信号。

他将氘、非晶硅、化学气相沉积和分析化学等学科与硅的研究结合起来。他的研究是跨学科的,是光衰减和光调制器学科的桥梁。他的光纤研究是多学科的,融合了光纤、光通信、光开关等要素。

他最常发表的领域是:

光电(30.56%)

光学(23.02%)

硅(15.08%)

他最近的作品(2011-2020年)的亮点是什么?

语言学(13.49%)

变异(7.94%)

人类学(3.97%)

在最近的论文中,他专注于以下研究领域:

这位科学家的研究涵盖了语言学、变异、人类学、地理学和媒体研究等领域。在他的语言学研究中,詹姆斯·a·沃克经常把经典等相关领域联系在一起。他的作品涉及语言接触和元音等主题,这些主题与变异相交叉。

他的人类学研究结合了广泛学科的主题,如伦敦人、文学、语言变化和环境伦理。他的媒体研究包括现代英语和加拿大英语的主题。他的加拿大英语研究结合了词汇频率、音韵学和词汇学等领域的主题。

2011年至2020年间,他最受欢迎的作品是:

HyFlex:跨域启发式搜索的基准框架(124次引用)

音位变化的形式、功能和频率(28条引证)

存在主义问题:贝基亚语(圣文森特和格林纳丁斯)存在主义结构的社会语言学监测和变异(18次引用)

在他最近的研究中,被引用最多的论文集中在:

语言学

光学

半导体

James A. Walker主要研究变异、语言学、软件框架、启发式和理论计算机科学。他的变异研究整合了其他学科的关注,如性别研究、语言接触、语法和焦点。詹姆斯·a·沃克在他的语言学研究中经常把族群等相关领域联系在一起。

他的软件框架研究跨越了交叉、进化算法、超启发式、启发式和迭代局部搜索等主题。他的启发式研究是多学科的,结合了旅行推销员问题和问题域的观点。在他的研究中,理论计算机科学与可变邻域搜索和流水车间调度等领域有重叠。

这个概述是由一个机器学习系统生成的,该系统分析了这位科学家的工作。如果您有任何反馈,您可以在这里与我们联系。

最好的出版物

利用共振隧道化GaAlAs超晶格子带间吸收的新型10 μm红外探测器

B. F.莱文;k . Choi; C。g . Bethea; J。沃克。应用物理快报(1987)

金属有机化学气相沉积法制备掺镁氮化镓中受体的活化

w·G ? tz; N。m·约翰逊,J。沃克;D。p . Bour。应用物理通讯(1996)

薄膜形状记忆合金及其制造方法

Kaigham J. Gabriel;Mehran Mehregany;James A. Walker。(1988)

掺杂GaAs/AlAs量子阱波导的强8.2 μm红外亚带间吸收

B. F.莱文;R。J·马利克;J。沃克;K。崔。应用物理快报(1987)

使用倾斜微镜的波长加降开关

J.E.福特,退役军人Aksyuk; D.J.主教,正当沃克。光波技术杂志(1999)

集成硅CMOS的GaAs MQW调制器

K.W. Goossen;正当沃克;洛杉矶D ‘Asaro;……回族。IEEE Photonics Technology Letters (1995)

基于微机械调制的直接视图显示

Suuzan Shii Aanii;Keisu Uein Guuzen; jeemusu Arubaato Uookaa。(1994)

TiNi形状记忆合金的薄膜加工

J. A.沃克;J. Gabriel;Mehran Mehregany。传感器和执行器-物理(1990)

基于机械主动抗反射层的硅调制器,具有1mbit /s的环路光纤应用能力

K.W. Goossen;正当沃克;南卡罗莱纳州阿。IEEE Photonics Technology Letters (1994)

高探测率D*=1.0×1010 cm√H?z?/W GaAs/AlGaAs多量子阱λ=8.3 μm红外探测器

B. F.莱文;G . Bethea; G。哈斯奈英;J。沃克。应用物理快报(1988)